[发明专利]磁传感器中的杂散场抑制有效
申请号: | 201811061776.9 | 申请日: | 2018-09-12 |
公开(公告)号: | CN109490797B | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | G·克罗斯;A·拉维尔;S·里格特;S·休伯林登贝格尔 | 申请(专利权)人: | 迈来芯电子科技有限公司 |
主分类号: | G01R33/025 | 分类号: | G01R33/025 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 姬利永;黄嵩泉 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种场传感器设备(99),该场传感器设备包括:参考场传感器(10),用参考电流偏置,该参考场传感器响应于场提供参考传感器信号(14);以及校准场传感器(20),用单独可调电流偏置并响应于该场提供校准传感器信号(24)。控制电路以不同于参考电流的校准电流来控制校准场传感器的可调电流偏置,使得校准场传感器响应于共同场提供基本上等于参考传感器信号的校准传感器信号。该场传感器设备被布置成当处于校准模式时暴露于均匀校准场,并且当处于操作模式时暴露于为场梯度的操作场。 | ||
搜索关键词: | 传感器 中的 散场 抑制 | ||
【主权项】:
1.一种场传感器设备,包括:‑参考场传感器,用参考电流偏置,所述参考场传感器响应于场提供参考传感器信号,‑校准场传感器,用可调电流偏置,并且响应于所述场提供校准传感器信号,其中,当所述校准场传感器以不同于所述参考电流的校准电流来偏置时,所述校准场传感器提供基本上等于所述参考传感器信号的校准传感器信号,并且其中所述场传感器设备被布置成当处于校准模式时暴露于均匀校准场,并且当处于操作模式时暴露于为场梯度的操作场。
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