[发明专利]一种制造p-i-n型钙钛矿太阳能电池的方法在审

专利信息
申请号: 201811061939.3 申请日: 2018-09-12
公开(公告)号: CN109378390A 公开(公告)日: 2019-02-22
发明(设计)人: 刘欣;李严波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48;H01L51/46;H01L51/42;H01L51/44
代理公司: 成都其高专利代理事务所(特殊普通合伙) 51244 代理人: 廖曾
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明实施例公开了一种制造p‑i‑n型钙钛矿太阳能电池器件的方法。根据该方法制造的p‑i‑n型钙钛矿太阳能电池器件包括依次层叠的衬底、阳极、电子束蒸镀空穴传输层、钙钛矿光吸收层、电子束蒸镀电子传输层和电子束蒸镀阴极。本发明的电子束制备p‑i‑n型钙钛矿太阳能电池器件的方法获得了较高的能量转化效率和较高的开路电压,且具备较低的加工成本和能够实现大面积加工,因而在太阳能电池领域具有良好的应用前景。
搜索关键词: 钙钛矿 太阳能电池器件 电子束蒸镀 电子束 太阳能电池领域 制造 能量转化效率 阴极 电子传输层 空穴传输层 阳极 太阳能电池 光吸收层 开路电压 依次层叠 衬底 制备 加工 应用
【主权项】:
1.一种制造p‑i‑n型钙钛矿太阳能电池的方法,其特征在于,包括:获取衬底,其中所述衬底上包含阳极层;依次用微米级半导体专用洗涤剂、去离子水、丙酮、异丙醇超声清洗所述衬底并烘干;用紫外臭氧清洗设备处理所述衬底;在常温下用电子束蒸镀的方法在所述阳极层上蒸镀氧化镍层作为空穴传输层,其中所述空穴传输层的厚度为20至50纳米;将蒸镀好的空穴传输层在空气中在300摄氏度下进行退火处理;在无水无氧、充满高纯氮气的环境下在加热处理后的所述空穴传输层上旋涂形成组分包括CsMAFAPbIBr的混合型钙钛矿光活性层;将形成了所述混合型钙钛矿光活性层的所述衬底在110摄氏度下进行加热处理;在加热处理后的所述混合型钙钛矿光活性层上用电子束蒸镀设备蒸镀五氧化二铌层作为电子传输层;在所述电子传输层上用电子束蒸镀设备蒸镀形成阴极层,其中所述阴极层的厚度为大于或等于80纳米。
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