[发明专利]一种少层单晶氧化亚锡及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201811062169.4 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109402735B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;邓培淼;谢伟广;姚日晖;刘贤哲;何锐辉;袁炜健;邓宇熹;张啸尘;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;H01L29/24 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 向玉芳 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于场效应晶体管技术领域，具体涉及一种少层单晶氧化亚锡及其制备方法与应用。所述少层单晶氧化亚锡的制备方法包括以下步骤：以晶粒尺寸大于100μm的三维单晶氧化亚锡为原料，将其均匀洒在胶带的一部分上；将胶带中洒有所述三维单晶氧化亚锡的部分与空白部分对折挤压，然后撕开，重复所述对折挤压和撕开操作直至得到所述少层单晶氧化亚锡。所述少层单晶氧化亚锡可用于制备场效应晶体管。本发明采用的方法实验操作简单，所需的药品以及实验仪器都是普通常见的，不需要作特殊处理。并且所制得的少层单晶SnO不易受到污染，形状规则，可以有效改善场效应晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 少层单晶 氧化 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种少层单晶氧化亚锡的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：以晶粒尺寸大于100μm的三维单晶氧化亚锡为原料，将其均匀洒在胶带的一部分上；将胶带中洒有所述三维单晶氧化亚锡的部分与空白部分对折挤压，然后撕开，重复所述对折挤压和撕开操作直至得到所述少层单晶氧化亚锡。
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