[发明专利]一种刻蚀方法有效
| 申请号： | 201811062202.3 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN110896035B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种刻蚀方法，包括如下步骤：在金属导体上依次形成抗反射层、介质层、硬掩膜层及图形化的光阻层；沿图形化的光阻层向下刻蚀硬掩膜层及介质层，并使硬掩膜层的第一刻蚀侧壁及介质层的第二刻蚀侧壁构成光滑连续的斜坡面；以及刻蚀抗反射层并过刻蚀至金属导体。本发明提出了在刻蚀过程中排出刻蚀产生的金属副产物的方法，改善了金属通道的刻蚀形貌，使得后续在通道中填充金属导体时，填入的金属导体可以与通道侧壁紧密贴合，解决了金属通道阻值偏移和金属填充物剥落等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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