[发明专利]制作高压器件与半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201811062282.2 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109192663B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 许文山;孙超;田武 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种制作高压器件与半导体器件的方法，该高压器件的制作方法包括：在半导体衬底上形成氧化层，氧化层形成有第一开口，部分半导体衬底通过第一开口暴露；在氧化层上形成栅极；在半导体衬底中形成源区；在氧化层上形成掩模层，掩模层具有第三开口，第一开口通过第三开口暴露；以及经由第三开口、氧化层以及第一开口在半导体衬底中形成漏区，其中，第三开口的尺寸大于第一开口的尺寸，源区与漏区位于栅极两侧。通过氧化层中的第一开口形成边界曲率半径较大的漏区，从而减小了漏区边缘的电场，提高了器件的耐高电压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 高压 器件 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作高压器件的方法，包括：在半导体衬底上形成氧化层，所述氧化层形成有第一开口，部分所述半导体衬底通过所述第一开口暴露；在所述氧化层上形成栅极；在所述半导体衬底中形成源区，所述源区位于所述栅极的一侧；在所述氧化层上形成掩模层，所述掩模层具有第三开口，所述第一开口通过所述第三开口暴露；以及经由所述第三开口、所述氧化层以及所述第一开口在所述半导体衬底中形成漏区，所述漏区位于所述栅极的另一侧，其中，所述第三开口的尺寸大于所述第一开口的尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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