[发明专利]放射性平面参考源及其制备方法有效
| 申请号： | 201811062370.2 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109065208B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 陈彦良;何林锋;唐方东 | 申请（专利权）人： | 上海市计量测试技术研究院 |
| 主分类号： | G21G4/06 | 分类号： | G21G4/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 公开了放射性平面参考源及其制备方法。所述平面参考源包括基板、置于所述基板上的离子交换膜和吸附在所述离子交换膜中的放射性核素。所述制备方法包括：提供基板；将离子交换膜置于所述基板的一个表面上；在所述离子交换膜边缘放置阻挡材料，从而在该离子交换膜表面上形成凸起的阻挡材料围成的离子交换膜露出表面和阻挡材料表面；将放射性溶液置于所述阻挡材料围成的离子交换膜露出表面上，使放射性核素吸附在该离子交换膜上；除去所述阻挡材料，制得放射性平面参考源。 | ||
| 搜索关键词： | 放射性 平面 参考 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种放射性平面参考源，它包括基板、置于所述基板上的离子交换膜和吸附在所述离子交换膜中的放射性核素。
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