[发明专利]一种高灵敏度有毒气体传感器及其制备方法有效
申请号: | 201811062453.1 | 申请日: | 2018-09-12 |
公开(公告)号: | CN109200748B | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 杨国锋;汪金;楚广勇;薛俊俊;昌建军;王昱 | 申请(专利权)人: | 南京诺睿芯电子科技有限公司 |
主分类号: | B01D53/04 | 分类号: | B01D53/04;G01N27/12;H01L21/02 |
代理公司: | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人: | 林娟 |
地址: | 210028 江苏省南京市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种高灵敏度有毒气体传感器及其制备方法,属于物理检测技术领域。本发明的传感器利用了二维材料的边缘吸附效果明显优于表面这一特性,将二维过渡金属硫/硒化物层设计为多层垂直排列结构,使得其最低检测限可达0.01ppm;本发明的制备方法攻克了制备多层垂直排列结构的二维过渡金属硫/硒化物的技术难点,为有毒气体探测领域提供了新的思路。 | ||
搜索关键词: | 一种 灵敏度 有毒气体 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高灵敏度有毒气体传感器,其特征在于,所述有毒气体传感器包含半导体衬底(1)、金属‑半导体阻挡层(2)、二维过渡金属硫/硒化物层(3)、金属电极(4)以及金属钝化层(5);所述有毒气体包含一氧化氮、二氧化氮以及氨气;所述二维过渡金属硫/硒化物层(3)由多层垂直排列结构的二维过渡金属硫/硒化物构成;所述有毒气体传感器中的半导体衬底(1)、金属‑半导体阻挡层(2)、二维过渡金属硫/硒化物层(3)、金属电极(4)以及金属钝化层(5)按照从下至上的顺序依次排列铺设。
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