[发明专利]一种用于纳米激光器的高斯型金属半导体谐振腔有效
| 申请号： | 201811062861.7 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109244827B | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 张柏富;朱康;武恒;胡海峰 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/32;H01S5/323 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于纳米激光器的高斯型金属半导体谐振腔，谐振腔是由半导体材料外包金属壳层构成的双凹形半导体谐振腔，具有高斯光束形状的谐振腔结构。本发明提出了一种新型的高斯型的谐振腔结构来减小金属半导体腔的表面等离激元损耗，这种谐振腔的圆弧形反射面可以将谐振模式集中在腔的中心，使谐振模式的场分布远离金属侧壁从而有效减少金属损耗；谐振腔的弯曲侧壁减小谐振模式垂直于金属侧壁的电场分量，可以进一步抑制表面等离激元损耗；通过合理设计谐振腔的反射面以及弯曲侧壁，可以有效的降低激发谐振腔的阈值电流，为纳米激光器的谐振腔设计及其在光子集成电路、光互连等相关领域提供了技术参考。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 纳米 激光器 高斯型 金属 半导体 谐振腔 | ||
【主权项】：
1.一种用于纳米激光器的高斯型金属半导体谐振腔，其特征在于，所述金属半导体谐振腔是高斯光束型的结构，由外到内由金属、绝缘体以及半导体材料构成，该结构反射面具有0.6‑1.5倍腔长的曲率，侧壁为具有腔长尺寸的高斯光束构型。
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