[发明专利]一种集成SOA的EML芯片在审
| 申请号： | 201811063243.4 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN108879321A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 胡艺枫;郑睿 | 申请（专利权）人： | 成都微泰光芯技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/06 | 分类号： | H01S5/06;H01S5/12;H01S5/40 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 唐邦英 |
| 地址： | 610000 四川省成都市双流区西*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成SOA的EML芯片，所述EML芯片包括：衬底、反馈激光器DFB、电吸收调制器EAM、光放大器SOA；反馈激光器DFB、电吸收调制器EAM、光放大器SOA集成在衬底上，反馈激光器DFB和电吸收调制器EAM之间通过第一波导连接，用于实现EML激光器的脉冲输出，输出带有振幅调制的光脉冲；光放大器SOA和电吸收调制器EAM之间通过第二波导连接，光放大器SOA将电吸收调制器EAM输出的带有振幅调制的光脉冲放大后输出；将传统工艺中的耦合损耗减小到最小，由于使用集成方案，不需要额外的光路耦合设计，降低了器件的工艺难度；SOA的放大作用进一步提高芯片的光输出功率，使之能够满足大分束比的PON网络的应用环境。 | ||
| 搜索关键词： | 电吸收调制器 光放大器 反馈激光器 芯片 波导连接 振幅调制 衬底 输出 光脉冲放大 光输出功率 传统工艺 放大作用 工艺难度 光路耦合 脉冲输出 应用环境 耦合损耗 分束比 光脉冲 减小 | ||
【主权项】：
1.一种集成SOA的EML芯片，其特征在于，所述EML芯片包括：衬底、反馈激光器DFB、电吸收调制器EAM、光放大器SOA；反馈激光器DFB、电吸收调制器EAM、光放大器SOA集成在衬底上，反馈激光器DFB和电吸收调制器EAM之间通过第一波导连接组成脉冲输出区，用于实现EML激光器的脉冲输出，输出带有振幅调制的光脉冲；光放大器SOA和电吸收调制器EAM之间通过第二波导连接组成脉冲放大区，光放大器SOA将电吸收调制器EAM输出的带有振幅调制的光脉冲放大后输出。
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