[发明专利]半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201811065180.6 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109216436B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 汤益丹;刘新宇;白云;董升旭;杨成樾 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/24;H01L29/47 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件包括：N |
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| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：N+衬底，所述N+衬底上形成有朝背面开口的多个开孔；形成于所述N+衬底上的N‑外延层，所述N‑外延层包括有源区外延层和终端区外延层，所述有源区外延层包括多个P++区域环和多个凹槽结构，其中，单个P++区域环上形成有单个凹槽结构；所述终端区外延层包括N+场截止环和多个P+保护环；形成于所述有源区外延层上的肖特基接触，形成于所述终端区外延层上的钝化层，以及形成于所述N+衬底背面和所述多个开孔内的欧姆接触。
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