[发明专利]一种片状氧化镁或掺杂氧化镁阵列的制备方法

摘要

本发明公开了一种片状氧化镁或掺杂氧化镁阵列的制备方法，其包括：（1）清洗基底；（2）配制生长溶液；（3）生长反应；（4）清洗干燥；（5）高温后处理。本发明针对现有纳米氧化镁颗粒应用中出现的问题，直接采用水热生长技术，将氧化镁纳米片状阵列原位生长于商业基底（金属、陶瓷和高分子纤维）表面，从而生产出纳米阵列基氧化镁抗菌材料。其新型的氧化镁纳米阵列基薄膜具有优异的机械稳定性，独特的阵列空间结构，较大的比表面积和丰富的孔结构。

主权项

1.一种片状氧化镁或掺杂氧化镁阵列的制备方法，其特征包括如下步骤：（1）清洗基底；（2）配制生长溶液：将镁盐和掺杂组分金属盐溶解于水，然后加入生成反应剂，将金属基底浸入生长溶液；（3）生长反应：加热至60‑120 ºC，并在此温度下保持2‑12小时；（4）清洗干燥；（5）高温后处理：将干燥后的产品使用马弗炉或微波或红外加热，使纳米片状氧化锌阵列成型。