[发明专利]金属阻挡层的制作方法、金属互连结构及其制作方法

摘要

本发明技术方案公开了一种金属阻挡层的制作方法，采用原子层沉积工艺制备所述金属阻挡层，分别在原子层沉积室内设置半导体衬底；并分别使含N的第一气相前驱体，含Ti的第二气相前驱体，含N的第三气相前驱体，含Zr的第四气相前驱体流向原子层沉积室内的半导体衬底，并在每次通入所述第一气相前驱体，第二气相前驱体，第三气相前驱体，第四气相前驱体后采用惰性气体吹扫所述原子层沉积室，以去除反应的剩余气体和反应副产物。所述方法提高了金属阻挡层的厚度均匀性。此外，本发明技术方案还提供一种金属互连结构及其制作方法，采用上述工艺制备金属互连结构的金属阻挡层。

主权项

1.一种金属阻挡层的制作方法，其特征在于，包括：步骤1，在原子层沉积室内设置半导体衬底；步骤2，使含N的第一气相前驱体流向位于原子层沉积室内的半导体衬底，以在所述半导体衬底上形成第一单层；步骤3，采用惰性气体吹扫所述半导体衬底，去除没有形成第一单层的第一气相前驱体；步骤4，使含Ti的第二气相前驱体流向半导体衬底，与第一单层发生吸附反应，形成第一中间体；步骤5，采用惰性气体吹扫所述半导体衬底，去除没有形成第一中间体的第二气相前驱体以及形成第一中间体过程中生成的副产物；步骤6，使含N的第三气相前驱体流向半导体衬底，与第一中间体发生吸附反应，形成第二中间体；步骤7，采用惰性气体吹扫所述半导体衬底，去除没有形成第二中间体的第三气相前驱体；步骤8，使含Zr的第四气相前驱体流向半导体衬底，与第二中间体发生吸附反应，形成金属阻挡层；步骤9，采用惰性气体吹扫所述半导体衬底，去除没有形成金属阻挡层的第四气相前驱体以及形成金属阻挡层过程中生成的副产物。