[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201811067236.1 | 申请日： | 2018-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN109817584A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 朱峯庆;李威养;杨丰诚;陈燕铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体装置的制造方法，特别是鳍式场效晶体管装置的制造方法，该方法包含提供半导体基底，其具有用于形成p型金属氧化物半导体(PMOS)装置的一区和用于形成n型金属氧化物半导体(NMOS)装置的一区，在半导体基底的通过隔离部件分开的两区中形成鳍结构，先在PMOS区中形成源极/漏极(S/D)部件，接着在NMOS区中形成源极/漏极部件。通过先形成PMOS的S/D部件，然后形成NMOS的S/D部件，使得在PMOS区中隔离部件的损耗程度大于NMOS区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体基底 半导体装置 源极/漏极 隔离部件 制造 鳍式场效晶体管 氧化物半导体 鳍结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：提供一半导体基底，其具有：一第一区，用于形成p型金属氧化物半导体(PMOS)装置；，及一第二区，用于形成n型金属氧化物半导体(NMOS)装置；在该第一区中形成一第一鳍结构，以及在该第二区中形成一第二鳍结构，其中该第一鳍结构和该第二鳍结构由一隔离部件分开；将该第一鳍结构凹陷；在凹陷的该第一鳍结构上外延成长一第一源极/漏极部件；继续外延成长该第一源极/漏极部件，将该第二鳍结构凹陷；以及在凹陷的该第二鳍结构上外延成长一第二源极/漏极部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
