[发明专利]高K介电层及其形成方法、应用其的电容器结构在审
| 申请号： | 201811068043.8 | 申请日： | 2018-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN109346458A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 董天宝;于宝庆 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高K介电层的形成方法，所述高K介电层包括至少一种高K介电材料，所述高K介电材料的形成方法包括：提供基板；通入氧源前驱体处理所述基板的表面；及通入第一气体和第二气体沉积于处理后的所述基板表面，形成所述高K介电材料；其中通入的所述第二气体占所述第一气体和第二气体总量的4～49at.％，第二气体的原子半径小于第一气体的原子半径。通过该方法形成的高K介电层应用到电容器结构中可同时满足高电容值与低漏电流的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 高K介电层 高K介电材料 电容器结构 基板 基板表面 气体沉积 气体总量 高电容 漏电流 前驱体 氧源 应用 | ||
【主权项】：
1.一种高K介电层的形成方法，所述高K介电层包括至少一种高K介电材料，所述高K介电材料的形成方法包括：提供基板；通入氧源前驱体处理所述基板的表面；及通入第一气体和第二气体沉积于处理后的所述基板表面，形成所述高K介电材料；其中通入的所述第二气体占所述第一气体和第二气体总量的4～49at.％，第二气体的原子半径小于第一气体的原子半径。
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