[发明专利]一种基于外延生长半金属的自旋场效应晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 201811071297.5 | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN109461775B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 徐永兵;黄兆聪;杨龙;刘文卿;翟亚 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/08;H01L29/24 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
基于利用外延生长半金属的自旋场效应晶体管，所述半金属材料为Fe |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 外延 生长 金属 自旋 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于利用外延生长半金属的自旋场效应晶体管，其特征是，所述半金属材料为Fe3O4合金，采用的基片为As/n‑GaAs/GaAs(100)，在基片上承载了两个大小不同的半金属材料Fe3O4薄膜层作为电极基础，其中小的半金属材料的大小为:17±5×156±20μm,大的半金属材料的大小为97±10×156±20μm，两个大小不同的半金属材料的间距为2.6±1μm；在半金属材料薄膜层上制备两对电极，通过改变Fe3O4薄膜层上一对电极A,B间的外加电压，实现n‑GaAs沟道内部的自旋反转，从而改变第二对电极C,D间的电流大小。
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