[发明专利]一种场效应管及其制作方法

摘要

本发明提供一种场效应管及其制作方法，包括：在第一导电类型的衬底上表面生长第一导电类型的第一外延层；在所述第一外延层内形成倒T型的第一沟槽和第二沟槽；在所述第一沟槽中形成第二导电类型的第二外延层，并在所述第一沟槽底部一侧形成第一导电类型的第三外延层，在所述第一沟槽底部另一侧形成第二导电类型的第四外延层；在所述第二沟槽底部形成第二导电类型的第五外延层，在所述第二沟槽内形成并与所述第五外延层上表面连接的第一导电类型的第六外延层；在所述第一外延层上表面形成源极和栅极结构；在所述衬底的下表面形成与所述衬底连接的漏极，从而能够在提升击穿电压的同时还降低导通电阻。

主权项

1.一种场效应管，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的第一外延层，生长于所述衬底上表面；倒T形的第一沟槽，形成于所述第一外延层内；第二导电类型的第二外延层，形成于所述第一沟槽中，以及第一导电类型的第三外延层和第二导电类型的第四外延层，分别形成于所述第一沟槽底部的两侧，所述第三外延层和所述第四外延层分别与所述第二外延层连接；倒T型的第二沟槽，形成于所述第一外延层内；第二导电类型的第五外延层，形成于所述第二沟槽底部，以及第一导电类型的第六外延层，形成于所述第二沟槽内并与所述第五外延层上表面连接；源极和栅极结构，形成于所述第一外延层上表面，所述源极和栅极结构的体区与所述第一沟槽部分重叠连接，且所述源极和栅极结构的体区设置于两个所述第一沟槽之间，所述源极和栅极结构的栅极结构与所述第二沟槽上表面连接；漏极，形成于所述衬底的下表面并与所述衬底连接。