[发明专利]一种高温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811072366.4 申请日: 2018-09-14
公开(公告)号: CN109111229B 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 李恩竹;杨鸿程;杨鸿宇;张树人 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C04B35/50 分类号: C04B35/50;C04B35/495
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 闫树平
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于电子陶瓷及其制造领域,涉及一种高温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法。化学通式为NdNb1‑x(AB)xO4,A=Mg2+、Al3+、Si4+、Zr4+,B=W6+、Mo6+,x=0~0.07,其中AB的具体组合为Mg1/4W3/4,Al1/3W2/3,Zr1/2W1/2,Mg1/4Mo3/4,Al1/3Mo2/3,Zr1/2Mo1/2,通过固相烧结法制得。本发明采用复合掺杂,按比例将异价A、B(A=Mg2+,Al3+,Si4+,Zr4+;B=W6+,Mo6+)原子等价取代NdNbO4中的Nb离子,最终制备得到有限固溶体,调节其品质因数和频率温度系数,制备方法为固相烧结法,工艺简单。本发明改善了NdNbO4陶瓷的品质因数和温度稳定性,介电常数小于20,34000GHz≤Q×f≤60000GHz,‑42ppm/℃≤τf≤+10ppm/℃。
搜索关键词: 一种 高温 烧结 微波 介质 陶瓷材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种高温烧结微波介质陶瓷材料,其特征在于:化学通式为NdNb1‑x(AB)xO4,A=Mg2+、Al3+、Si4+、Zr4+,B=W6+、Mo6+,x=0~0.07,其中AB的具体组合为Mg1/4W3/4,Al1/3W2/3,Zr1/2W1/2,Mg1/4Mo3/4,Al1/3Mo2/3,Zr1/2Mo1/2,通过固相烧结法制得;其所有离子取代改性后的陶瓷均为纯相单斜褐钇铌矿NdNbO4固溶体,介电常数小于20,34000GHz≤Q×f≤60000GHz,‑42ppm/℃≤τf≤+10ppm/℃。
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