[发明专利]一种基于键合工艺的热式风速风向传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201811072690.6 | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN109384189B | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 陈蓓;朱雁青;袁宁一;丁建宁 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | G01P5/12 | 分类号： | G01P5/12;B81B1/00;B81C3/00;G01P13/02 |
| 代理公司： | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人： | 王美华 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于键合工艺的热式风速风向传感器及其制备方法，具有传感器芯片，所述的传感器芯片包括二氧化硅绝热层，二氧化硅绝热层内部分布有硅柱，二氧化硅绝热层背面对应所述硅柱位置设有分别中心测温元件、加热元件和上下游测温元件，其中中心测温元件位于二氧化硅绝热层中心位置，加热元件以中心测温元件为中心四周分布形成中心对称结构，上下游测温元件以中心测温元件为中心四周分布形成中心对称结构，且上下游测温元件位于加热元件的外围。本发明利用键合工艺在二氧化硅绝热层中形成硅柱结构，可有效隔绝热量的横向传输损耗，降低传感器功耗，在环境温度变化时，芯片的材料特性变化降低，从而有效抑制了传感器输出结果的温度漂移。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 工艺 风速 风向 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于键合工艺的热式风速风向传感器，具有传感器芯片，其特征是：所述的传感器芯片包括二氧化硅绝热层，二氧化硅绝热层内部分布有硅柱，二氧化硅绝热层背面对应所述硅柱位置设有分别中心测温元件、加热元件和上下游测温元件，其中中心测温元件位于二氧化硅绝热层中心位置，加热元件以中心测温元件为中心四周分布形成中心对称结构，上下游测温元件以中心测温元件为中心四周分布形成中心对称结构，且上下游测温元件位于加热元件的外围。
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