[发明专利]匀流件、工艺腔室、原子层沉积设备及沉积方法在审

专利信息
申请号: 201811073358.1 申请日: 2018-09-14
公开(公告)号: CN110904436A 公开(公告)日: 2020-03-24
发明(设计)人: 秦海丰;史小平;兰云峰;纪红;赵雷超;张文强 申请(专利权)人: 北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;张天舒
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种匀流件、工艺腔室、原子层沉积设备及沉积方法。匀流件包括若干个间隔设置的第一匀流孔和第二匀流孔,所述第一匀流孔的出气口和所述第二匀流孔的出气口处于非同一平面。本发明的匀流件,相比传统的匀流件的结构,可以有效减少呈平面的匀流件表面第一前驱体和第二前驱体因为混合而发生的非预期反应。即使有少量的第一前驱体吸附在匀流件表面,也会因为第一前驱体和第二前驱体不在同一个平面上而降低了非预期反应发生的可能性,从而可以有效改善薄膜厚度均匀性和工艺重复性,还可以有效改善腔室本体内的颗粒水平,提高了薄膜质量和性能。
搜索关键词: 匀流件 工艺 原子 沉积 设备 方法
【主权项】:
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