[发明专利]一种低暗电流的大阵面铟砷化镓MSM结构光电混频探测器阵列及其制造方法在审
| 申请号： | 201811073723.9 | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN109326616A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 孙剑峰;王骐;郜键;李献杰 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/109;H01L31/18 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 安琪 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种低暗电流的大阵面铟砷化镓MSM结构光电混频探测器阵列及其制造方法，属于非扫描激光主动四维成像雷达技术领域。所述阵列包括焦平面面阵；所述MSM焦平面面阵一侧表面设有光敏面；所述光敏面上设有64×64个像元，所述MSM焦平面面阵另一侧表面与所述光敏面相对应的位置上依次覆盖有缓冲层、吸收层、缓变层和势垒增强层；沿所述势垒增强层的中心线位置上依次设有五对背靠背肖特基。所述光电混频探测器阵列及其制造方法能够有效降低大面阵探测器阵列的暗电流。 | ||
| 搜索关键词： | 混频探测器 暗电流 铟砷化镓 增强层 光敏 势垒 阵面 制造 大面阵探测器 背靠背 中心线位置 雷达技术 扫描激光 四维成像 光敏面 缓变层 缓冲层 吸收层 肖特基 像元 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种低暗电流的大阵面铟砷化镓MSM结构光电混频探测器阵列，其特征在于，所述阵列包括焦平面面阵；所述MSM焦平面面阵一侧表面设有光敏面；所述光敏面上设有64×64个像元，所述MSM焦平面面阵另一侧表面与所述光敏面相对应的位置上依次覆盖有缓冲层、吸收层、缓变层和势垒增强层；沿所述势垒增强层的中心线位置上依次设有五对背靠背肖特基。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
