[发明专利]气体集成块和半导体加工设备有效
| 申请号： | 201811074421.3 | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN110904434B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 王勇飞;兰云峰;王帅伟 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;姜春咸 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种气体集成块，包括气体集成块本体，所述气体集成块本体内形成有气体通道，所述气体通道具有工艺气体入口，且所述工艺气体入口形成于所述气体集成块本体的第一表面上，其中，所述气体集成块还包括封口组件，用于在气体集成块本体的第一表面暴露于大气时，对所述工艺气体入口进行自动封堵。本发明还提供一种半导体加工设备。当腔体盖打开时，所述气体集成块能够自动封闭所述工艺气体入口。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 集成块 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
