[发明专利]一种误差放大器电路在审
申请号: | 201811078203.7 | 申请日: | 2018-09-16 |
公开(公告)号: | CN109450396A | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 沈孙园 | 申请(专利权)人: | 杭州宽福科技有限公司 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310012 浙江省杭州市西湖*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种误差放大器电路。一种误差放大器电路包括第一电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第二电阻、第一电容、第三NMOS管、第三电阻和第五PMOS管。利用本发明提供的误差放大器电路可以限制误差放大器的开闭环增益,提高系统的瞬态响应速度。 | ||
搜索关键词: | 误差放大器电路 电阻 误差放大器 闭环增益 瞬态响应 电容 | ||
【主权项】:
1.一种误差放大器电路,其特征在于:包括第一电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第二电阻、第一电容、第三NMOS管、第三电阻和第五PMOS管;所述第一电阻的一端接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极,另一端接地;所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第二PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极,源极接电源电压VCC;所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第一电阻的一端和所述第五PMOS管的栅极,漏极接所述第三PMOS管的源极和所述第四PMOS管的源极,源极接电源电压VCC;所述第三PMOS管的栅极接反馈电压端FB,漏极接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极,源极接所述第二PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的源极;所述第四PMOS管的栅极接带隙基准电压VREF,漏极接所述第二NMOS管的漏极和所述第二电阻的一端和所述第三NMOS管的栅极,源极接所述第二PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的源极;所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极,源极接地;所述第二NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极,漏极接所述第四PMOS管的漏极和所述第二电阻的一端和所述第三NMOS管的栅极,源极接地;所述第二电阻的一端接所述第四PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极,另一端接所述第一电容的一端;所述第一电容的一端接所述第二电阻的一端,另一端接所述第三电阻的一端和所述第五PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的漏极并作为误差放大器电路的输出端EAOUT;所述第三NMOS管的栅极接所述第四PMOS管的漏极和所述第二电阻的一端和所述第二NMOS管的漏极,漏极接所述第五PMOS管的漏极和所述第三电阻的一端和所述第一电容的一端并作为误差放大器电路的输出端EAOUT,源极接地;所述第三电阻的一端接所述第五PMOS管的漏极和所述第一电容的一端和所述第三NMOS管的漏极,另一端接反馈电压端FB;所述第五PMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极,漏极接所述第三电阻的一端和所述第一电容的一端和所述第三NMOS管的漏极并作为误差放大器电路的输出端EAOUT,源极接电源电压VCC。
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