[发明专利]开关元件与存储器元件有效
申请号: | 201811078303.X | 申请日: | 2018-09-14 |
公开(公告)号: | CN110729399B | 公开(公告)日: | 2023-08-25 |
发明(设计)人: | 郑怀瑜;龙翔澜;郭奕廷 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H10N70/00 | 分类号: | H10N70/00;H10B63/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种电压敏感开关元件,具有一第一电极、一第二电极及一位于第一电极与第二电极之间的开关层,包括一无碲、低锗含量的组成份,该组成份包括砷、硒与锗。开关元件用于立体交叉点存储器(3D cross‑point memory)。 | ||
搜索关键词: | 开关 元件 存储器 | ||
【主权项】:
1.一种开关元件,包括:/n一第一电极;/n一第二电极;及/n一开关层,位于该第一电极与该第二电极之间,该开关层包括一组成份,该组成份包括介于15原子百分比(at%)至46原子百分比之间的砷(Arsenic,As)、介于27原子百分比至60原子百分比之间的硒(Selenium,Se)与介于10原子百分比至25原子百分比之间的锗(Germanium,Ge)。/n
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