[发明专利]一种双模式高增益、低噪声的宽带低噪声放大器

摘要

本发明公开了一种双模式高增益、低噪声的宽带低噪声放大器，包括一对共栅级输入NMOS管、一对有源电流源NMOS管、三对交叉耦合电容、一对共漏级NMOS管、一对实现正反馈通路的PMOS管、一对模式切换PMOS管，一对负载电阻以及一对峰化电感。本发明低噪声放大器基于共栅级结构，通过正负反馈技术来增大跨导和输出阻抗从而实现较高增益和较低噪声系数，以有源电流源代替传统的电感形式，节省了芯片面积。通过并联峰化技术拓展带宽，采用可切换负载阻抗的电路结构实现模式的切换来分别获得高增益和高线性度。本发明具有双模式，宽带，较好的增益和噪声性能等优点。

主权项

1.一种双模式高增益、低噪声的宽带低噪声放大器，其特征在于：包括第一对NMOS晶体管N1‑1和N1‑2、第二对NMOS晶体管N2‑1和N2‑2、第三对NMOS晶体管N3‑1和N3‑2、第一对PMOS晶体管P1‑1和P1‑2、第二对PMOS晶体管P2‑1和P2‑2、第一对电容C1‑1和C1‑2、第二对电容C2‑1和C2‑2、第三对电容C3‑1和C3‑2、电阻对R1和R2、电感对L1和L2；所述第一对NMOS晶体管N2‑1和N2‑2作为共源输入管，差分输入信号分别流入第一对NMOS晶体管N2‑1和N2‑2的源极，通过第一对电容C1‑1和C1‑2交叉耦到对方的栅极进行放大；所述第二对NMOS晶体管N2‑1和N2‑2作为尾电流管，经由第二对电容C2‑1和C2‑2交叉耦合连接；所述第三对NMOS晶体管N3‑1和N3‑2作为共漏管用于提高反向隔离度并增加输出阻抗；所述第一对PMOS晶体管P1‑1和P1‑2用于提供正反馈环路以增大输入阻抗；所述第二对PMOS晶体管P2‑1和P2‑2作为负载切换控制开关，第二对PMOS晶体管P2‑1和P2‑2的栅极分别接外部模式控制电压；当外部模式控制电压为低时，P2‑1和P2‑2导通；当外部模式控制电压为高时，P2‑1和P2‑2呈现为阻断；所述电阻对R1和R2、电感对L1和L2构成并联峰化结构，通过电感对引入零点来补偿高频处因寄生电容引起的增益下降。