[发明专利]一种基于覆铜陶瓷基板均匀电流辅助烧结纳米银焊膏温度场的方法有效
| 申请号： | 201811079252.2 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN109411372B | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 梅云辉;张心印;李欣;陆国权 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L25/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 李素兰 |
| 地址： | 300350 天津市津南区海*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于敷铜基板均匀电流辅助烧结纳米银焊膏温度场的方法，结合敷铜基板铜层形状和印刷纳米银焊膏后电极压头可放置区域，异形电极形状为直角L形，内角为四分之一圆弧过渡，烧结前电极预压在DBC基板两端，施加直流脉冲电流均匀流过焊膏，纳米银焊膏烧结温度场均匀分布，芯片受热均匀。本发明成功解决了电流快速烧结纳米银焊膏过程中存在的温度不均匀的问题，通过设计施加电流的异形电极与位置分布，实现纳米银焊膏脉冲电流辅助烧结过程中温度场的均匀分布，烧结纳米银焊膏IGBT芯片/二极管芯片与覆铜陶瓷基板基板的一次性快速烧结连接，获得致密度高达90％以上，大幅提高烧结互连层的机械强度和抗疲劳可靠性，延长使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 陶瓷 均匀 电流 辅助 烧结 纳米 银焊膏 温度场 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于敷铜基板均匀电流辅助烧结纳米银焊膏温度场的方法，其特征在于，结合敷铜基板铜层形状和印刷纳米银焊膏后电极压头可放置区域，异形电极形状为直角L形，内角为四分之一圆弧过渡，烧结前电极预压在DBC基板两端，施加直流脉冲电流均匀流过焊膏，纳米银焊膏烧结温度场均匀分布，芯片受热均匀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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