[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置有效
| 申请号： | 201811080383.2 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN109309122B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 王珂;卢鑫泓;胡合合;杨维;宁策 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84;H01L21/28;H01L21/44 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 杨广宇 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。该阵列基板包括：衬底基板；在衬底基板上设置的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；其中，第一薄膜晶体管包括：第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，第二薄膜晶体管包括：第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极。第二源极和第二漏极中的一个作为第一电极，第一电极与第一栅极同层设置，且材料均相同；第二源极和第二漏极中的另一个作为第二电极，第二电极与第一源极以及第一漏极同层设置，且材料均相同。该阵列基板中仅需要设置三层导电结构，相对于相关技术中的阵列基板需要至少四层导电结构，该阵列基板的制造工艺较为简单。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；在所述衬底基板上设置的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；其中，所述第一薄膜晶体管包括：第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第二薄膜晶体管包括：第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二源极和所述第二漏极中的一个作为第一电极，所述第一电极与所述第一栅极同层设置，且材料均相同；所述第二源极和所述第二漏极中的另一个作为第二电极，所述第二电极与所述第一源极以及所述第一漏极同层设置，且材料均相同。
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