[发明专利]在接触孔或沟槽上方形成阻障层的方法及接触孔结构在审
| 申请号： | 201811080470.8 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN110491828A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 连文华 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 11279 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 | 代理人： | 席勇;周勇<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在接触孔或沟槽上方形成阻障层的方法及接触孔结构，在接触孔或沟槽上方形成阻障层的方法包括在腔室内产生高密度电浆，以及利用高密度电浆将阻障材料沉积在接触孔或沟槽上方。阻障材料的沉积至少包括依序的第一沉积步骤、第二沉积步骤及第三沉积步骤。第一沉积步骤、第二沉积步骤及第三沉积步骤是分别在第一偏功率、第二偏功率及第三偏功率下执行。第三偏功率大于第二偏功率，而第二偏功率大于第一偏功率。本发明还提供以此方法形成的接触孔结构。本发明的方法能够形成具有较高阶梯覆盖的阻障层。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 接触孔 阻障层 高密度电浆 材料沉积 高阶梯 室内 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种在接触孔或沟槽上方形成阻障层的方法，其特征在于，包含以下操作：/n在腔室内产生高密度电浆；以及/n利用所述高密度电浆将阻障材料沉积于所述接触孔或所述沟槽上方，其中所述阻障材料的所述沉积至少包含依序的第一沉积步骤、第二沉积步骤以及第三沉积步骤，所述第一沉积步骤、所述第二沉积步骤及所述第三沉积步骤是分别在第一偏功率、第二偏功率及第三偏功率下执行，所述第三偏功率大于所述第二偏功率，而所述第二偏功率大于所述第一偏功率。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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