[发明专利]低k部件形成工艺和由此形成的结构有效
| 申请号： | 201811081811.3 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN109585266B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 高琬贻;柯忠祁;李俊德;林翔伟;程德恩;林玮耿;涂官瑶;廖书翎 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 这里描述了具有低k部件的半导体器件结构以及形成低k部件的方法。一些实例涉及可以在后续处理期间保护低k部件的表面修改层。一些实例涉及包括低k部件的栅极间隔件。一些实例涉及低k接触蚀刻停止层。本发明描述了用于形成这种部件的示例性方法。本发明实施例涉及低k部件形成工艺和由此形成的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 部件 形成 工艺 由此 结构 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括：使用原子层沉积(ALD)工艺形成介电层，所述介电层在从所述介电层的初始形成部分至所述介电层的后续形成部分的方向上具有增加的氧浓度梯度，所述介电层在所述方向上具有降低的氮浓度梯度，所述原子层沉积工艺包括：对于一个循环，以氧流速流动氧源前体；以及以氮流速流动氮源前体；以及多次重复所述循环，其中，在多次重复所述循环期间，氧流速增加，并且在多次重复所述循环期间，氮流速降低。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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