[发明专利]CMOS温度传感器及温度检测方法有效
| 申请号： | 201811082218.0 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN109470376B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 王粲;彭科 | 申请（专利权）人： | 芯原微电子（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/01 | 分类号： | G01K7/01 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国(*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明提供一种CMOS温度传感器及温度检测方法，包括：信号采集模块，用于产生偏置电流、与温度有关的第一电压及与温度有关的第二电压；模数转换模块，基于所述偏置电流、所述与温度有关的第一电压及所述与温度有关的第二电压将采集到的温度信息转化为数字信号输出。复用信号采集模块获得偏置电流及与温度有关的第一电压及与温度有关的第二电压；基于所述与温度有关的第一电压与所述与温度有关的第二电压建立温度信息的补偿分式，分母和分子均为ΔV |
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| 搜索关键词： | cmos 温度传感器 温度 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS温度传感器，其特征在于，所述CMOS温度传感器至少包括：信号采集模块，用于产生偏置电流、与温度有关的第一电压及与温度有关的第二电压；模数转换模块，基于所述与温度有关的第一电压与所述与温度有关的第二电压建立温度信息的补偿分式，分母和分子均为ΔVBE与VBE的线性组合，利用分母的非线性补偿分子的非线性，获得温度信息的数字信号；其中，ΔVBE为所述与温度有关的第一电压与所述与温度有关的第二电压的差值，VBE为所述与温度有关的第一电压或所述与温度有关的第二电压。
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