[发明专利]InP量子点及其制备方法在审
| 申请号： | 201811082764.4 | 申请日： | 2016-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN109111921A | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 王允军;张卫 | 申请（专利权）人： | 苏州星烁纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/70 | 分类号： | C09K11/70;C09K11/88;C09K11/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种InP量子点及其制备方法。InP量子点的制备方法包括：步骤S1：在100～150℃下，向含有铟前驱体、第一配体和第一有机溶剂的混合体系中加入PH3，得到纳米晶核溶液；步骤S2：将步骤S1中所述纳米晶核溶液降温至0～60℃，加入第二配体，得到具有第二配体修饰的纳米晶核溶液；步骤S3：将步骤S2中所述第二配体修饰的纳米晶核溶液升温至200～300℃，加入合成壳层所需前驱体，得到具有壳层的InP量子点。通过控制前驱体、温度、第一配体、第二配体等，易于控制所得到的InP量子点的发射波长，且InP量子点的半峰宽较小。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 第二配体 纳米晶核 制备 第一配体 前驱体 壳层 修饰 发射波长 混合体系 有机溶剂 铟前驱体 半峰宽 合成 申请 | ||
【主权项】：
1.一种InP量子点的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：步骤S1：在100～150℃下，向含有铟前驱体、第一配体和第一有机溶剂的混合体系中加入PH3，得到纳米晶核溶液；步骤S2：将步骤S1中所述纳米晶核溶液降温至0～60℃，加入第二配体，得到具有第二配体修饰的纳米晶核溶液；步骤S3：将步骤S2中所述第二配体修饰的纳米晶核溶液升温至200～300℃，加入合成壳层所需前驱体，得到具有壳层的InP量子点。
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