[发明专利]一种基于挠曲机制的三碘化铬电流自旋控制器有效
| 申请号： | 201811083208.9 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN109449284B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 李梦蕾;江伟;周梅;张平;郑法伟 | 申请（专利权）人： | 北京应用物理与计算数学研究所 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 朱健;张国香 |
| 地址： | 100088*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于挠曲机制的三碘化铬电流自旋控制器，包括：三碘化铬磁性膜、衬底、压电晶体和电源；三碘化铬磁性膜在膜厚度方向上与衬底固定连接，三碘化铬磁性膜和衬底在第一方向上的一边均固定，且衬底在第一方向上的另一边与压电晶体在垂直于形变方向上的一侧固定连接；三碘化铬磁性膜在第二方向上的边用于通过待自旋过滤的电流；电源的一端与压电晶体在垂直于电场方向上的一侧相连，另一端与压电晶体在垂直于电场方向上的另一侧相连。该电流自旋控制器通过压电晶体的形变使衬底弯曲，导致CrI3膜受到挤压或拉伸，可将经过CrI3薄膜的非自旋极化的电流过滤成单自旋且自旋极化方向可控的电流，也可不改变经过CrI3薄膜的电流性质。 | ||
| 搜索关键词： | 碘化铬 压电晶体 衬底 自旋 磁性膜 控制器 电场 自旋极化 垂直 挠曲 薄膜 过滤 电源 方向可控 形变方向 形变 拉伸 挤压 | ||
【主权项】：
1.一种基于挠曲机制的三碘化铬电流自旋控制器，其特征在于，包括：三碘化铬磁性膜、衬底、压电晶体和电源；所述三碘化铬磁性膜在膜厚度方向上与所述衬底固定连接，所述三碘化铬磁性膜和所述衬底在第一方向上的一边均固定，且所述衬底在第一方向上的另一边与所述压电晶体在垂直于形变方向上的一侧固定连接；所述三碘化铬磁性膜在第二方向上的边用于通过待自旋过滤的电流，所述第一方向和所述第二方向组成的平面与所述三碘化铬磁性膜的膜厚度方向垂直；所述电源的一端与所述压电晶体在垂直于电场方向上的一侧相连，所述电源的另一端与所述压电晶体在垂直于电场方向上的另一侧相连。
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