[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201811083332.5 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN110277449A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 杨哲维;林浩雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;林浩雄 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/45 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭示叙述半导体装置例如晶体管，其包括位于基板上方、作为通道区的薄的半导金属层。此薄的半导金属层具有能隙开口并表现出半导体性质。所述的半导体装置包括源极/漏极区，此源极/漏极区包括较厚的半导金属层，位于作为通道区的薄的半导金属层上方。此较厚的半导金属层表现出金属性质。用于源极/漏极区的半导金属包括相同于或相似于通道区的半导金属的半导金属材料。 | ||
| 搜索关键词： | 金属层 源极/漏极区 通道区 半导体装置 金属 半导体结构 半导体性质 金属材料 金属性质 晶体管 基板 能隙 开口 表现 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：一基板；一通道区，该通道区至少部分地位于该基板上方，并包括由一半导金属材料所制成的一第一半导金属层，该第一半导金属层具有一半导体性质；以及一源极/漏极结构，该源极/漏极结构位于该基板上方并相邻于该通道区，并包括一第二半导金属层，该第二半导金属层是由与该第一半导金属层相同的一半导金属材料所制成，并具有一金属性质。
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