[发明专利]顶栅底接触结构器件在构建生物传感器中的应用

摘要

本发明公开了一种顶栅底接触结构器件在构建生物传感器中的应用,在全共价键连接全还原氧化石墨烯场效应晶体管上滴加交联剂溶液并孵育，用磷酸缓冲盐溶液冲洗该FET的表面；将抗体溶液滴加在FET的表面并于室温孵化1～2h；用磷酸缓冲盐溶液冲洗该FET的表面，再在FET的表面滴加封闭剂并反应；用磷酸缓冲盐溶液冲洗FET的表面，于室温干燥至少2s后测试该FET的转移曲线并得到狄拉克点数值D₁；将待测溶液滴加在FET的表面，于室温孵化1～3h，用磷酸缓冲盐溶液冲洗FET的表面，并于室温干燥至少2s，测试转移曲线并得到狄拉克点数值D₂；计算ΔD＝D₂‑D₁并将ΔD记做传感输出信号。该生物传感器可达到同时检测不同种癌症标志物的目的。

主权项

1.一种全共价键连接全还原氧化石墨烯场效应晶体管在构建生物传感器中的应用，其特征在于，包括以下步骤：1)在全共价键连接全还原氧化石墨烯场效应晶体管上，以含有一个源电极和一个漏电极作为一个FET，在所述全共价键连接全还原氧化石墨烯场效应晶体管的一个FET的表面滴加5～15μL交联剂溶液并孵育0.5～2h，用磷酸缓冲盐溶液冲洗该FET的表面，其中，交联剂溶液中的交联剂为戊二醛、多肽缩合试剂HATU或1‑芘丁酸亚胺酯；2)将5～20μL浓度为50～150μg mL^‑1的抗体溶液滴加在所述FET的表面并于室温20～25℃孵化1～2h；3)用磷酸缓冲盐溶液冲洗该FET的表面，再在FET的表面滴加5～20μL的封闭剂并反应1～2h，用于避免非特异性吸附到全共价键连接全还原氧化石墨烯场效应晶体管的栅极表面；4)用磷酸缓冲盐溶液冲洗所述FET的表面，于室温20～25℃干燥至少2s后测试该FET的转移曲线并得到狄拉克点数值D₁；5)将40～60μL待测溶液滴加在步骤4)所得的FET的表面，于室温20～25℃孵化1～3h，用磷酸缓冲盐溶液冲洗所述FET的表面，并于室温20～25℃下干燥至少2s，测试转移曲线并得到狄拉克点数值D₂；6)计算ΔD＝D₂‑D₁并将所得差值狄拉克点电压差ΔD记做传感输出信号。