[发明专利]一种工频下高介电常数屏蔽膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201811084883.3 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN109320944A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 刘平;王鹏;王悦;代小敏;伍发元;徐锐 | 申请（专利权）人： | 国网江西省电力有限公司电力科学研究院;国家电网有限公司;南京先磁新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C08L75/04 | 分类号： | C08L75/04;C08K7/00;C08K5/43;C08K9/10;C08K7/18;C08J5/18;H05K9/00 |
| 代理公司： | 南昌青远专利代理事务所(普通合伙) 36123 | 代理人： | 刘爱芳 |
| 地址： | 330006 江西省南昌市青山湖区民营科*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种工频下高介电常数屏蔽膜及其制备方法，该屏蔽膜由热固性高分子树脂与花边形状软磁粉复合而成，并含有硫氰酸乙酯，其中硫氰酸乙酯所占的质量百分比为0.1％～10％。屏蔽膜通过将热固性高分子树脂溶解，并将软磁粉加入到溶解的高分子树脂中，搅拌均匀形成浆料，在体系中加入硫氰酸乙酯，并将混合浆料体系搅拌均匀后在离型基质上刮涂成膜、烘干固化制得。所制得的屏蔽膜在工频下具有显著较高的介电常数和正切损耗，同时直流电阻达到10的5次方欧姆以上，能够解决现有技术中容易产生电势差以及对电磁场的反射的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽膜 硫氰酸乙酯 工频 热固性高分子树脂 高介电常数 软磁粉 制备 溶解 高分子树脂 质量百分比 烘干固化 花边形状 混合浆料 介电常数 离型基质 体系搅拌 正切损耗 直流电阻 电磁场 电势差 成膜 刮涂 浆料 反射 复合 | ||
【主权项】：
1.一种工频下高介电常数屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽膜为热固性高分子树脂与花边形状软磁粉的复合物，并含有硫氰酸乙酯，所述硫氰酸乙酯所占的质量百分比为0.1％～10％。
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