[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，包括：第一导电类型的衬底；形成于所述衬底的上表面的第一导电类型的第一外延层；形成于所述第一外延层的部分上表面的第一导电类型的第二外延层；形成于所述第二外延层的上表面的第二导电类型的第三外延层；形成于所述第三外延层的上表面的第一导电类型的第四外延层；第一介质层；第二导电类型的第一掺杂区；形成于所述第一掺杂区的上表面的第一导电类型的第五外延层；第二介质层；与所述第四外延层及所述第五外延层电连接的正面金属层；与所述衬底电连接的背面金属层。所述半导体器件具有双向、低电容及缺陷少的特点。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，其包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的第一外延层，形成于所述衬底的上表面；第一导电类型的第二外延层，形成于所述第一外延层的部分上表面，包括第一子外延层和第二子外延层；第二导电类型的第三外延层，包括形成于所述第一子外延层的上表面的第三子外延层和形成于所述第二子外延层的上表面的第四子外延层；第一导电类型的第四外延层，包括形成于所述第三子外延层的上表面的第五子外延层和形成于所述第四子外延层的上表面的第六子外延层；第一介质层，覆盖所述第二外延层、所述第三外延层及所述第四外延层的侧表面及所述第四外延层的上表面；第二导电类型的第一掺杂区，自所述第一子外延层与所述第二子外延层之间的所述第一外延层的上表面向下延伸；第一导电类型的第五外延层，形成于所述第一掺杂区的上表面；第二介质层，覆盖所述第五外延层的上表面；正面金属层，包括与所述第四外延层电连接的第一子金属层和与所述第五外延层电连接的第二子金属层；背面金属层，与所述衬底的下表面电连接。