[发明专利]磁阻式随机存取存储器有效

专利信息
申请号: 201811086211.6 申请日: 2018-09-18
公开(公告)号: CN110910924B 公开(公告)日: 2021-09-14
发明(设计)人: 黄鼎翔;盛义忠;薛胜元;李国兴;康智凯 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开一种磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory,MRAM),其主要包含多个元件串(device strings)以并联方式耦接,各该元件串包含多个磁隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)以串联方式耦接,其中各该元件串的MTJ数量等于该元件串的数量,且该等MTJ的等效电阻等于该等MTJ中其中一者的高电阻以及另一者的低电阻的平均值。
搜索关键词: 磁阻 随机存取存储器
【主权项】:
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