[发明专利]一种二硫化钨晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201811087135.0 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN109378273A | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 韩琳;姜建峰;张宇 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/02;H01L29/10;H01L29/24;H01L29/51;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京智晨知识产权代理有限公司 11584 | 代理人： | 张婧 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二硫化钨晶体管及其制造方法，该晶体管中通过对二维二硫化钨层进行等离子体处理，从而有效的修复二维二硫化钨层中硫空位和内部缺陷，使N和O提供电子来代替空位，从而减少缺陷导致的额外的散射；同时，N和O掺杂改善了二硫化钨的内部电阻和接触电阻，从而减少了界面陷阱；本发明的二硫化钨晶体管可以实现高场效应迁移率和低阈值电压，具有很好的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 二硫化钨 晶体管 二硫化钨层 空位 二维 等离子体处理 低阈值电压 接触电阻 界面陷阱 内部电阻 内部缺陷 器件性能 迁移率 散射 高场 制造 掺杂 修复 | ||
【主权项】：
1.一种二硫化钨晶体管的制造方法，包括如下步骤：基片准备；在基片上形成栅极；在栅极上形成第一介质层，在第一介质层上形成第二介质层；在介质层上形成二维半导体材料层，其中半导体材料为二硫化钨；对二硫化钨进行等离子体处理；其中，等离子处理的气体为氮氧混合气体；处理时间为3‑8分钟；在处理后的二硫化钨层上形成源/漏电极；在二硫化钨和源/漏电极上形成第三介质层，该第三介质层为PMMA层，得到二硫化钨晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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