[发明专利]NAND存储器及其坏块标记方法在审
| 申请号： | 201811087379.9 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN109273043A | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 井冲 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;G11C29/18;G11C29/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李婷婷;王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开一种NAND存储器及其坏块标记方法，所述NAND存储器中的存储块被划分为多个存储空间大小相同的子存储块，且每个子存储块设置有子存储块地址，因此，当NAND存储器中的几个字线存在缺陷时，即检测到缺陷字线时，可以将缺陷字线所对应的子存储块标记为坏块，而不是将缺陷字线对应的存储块整块标记为坏块，从而扩展了NAND存储器的可用空间，充分利用了存储块中未出现缺陷字线对应的子存储块的存储空间，改善了存储空间浪费的问题。所述坏块标记方法，基于上面所述的NAND存储器，在检测出故障点后，标记子存储块为坏块，而非标记存储块为坏块，从而使得存储空间增大，进而扩大了可使用的存储空间。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 存储空间 字线 坏块 坏块标记 存储块地址 可用空间 标记子 非标记 故障点 检测 整块 申请 | ||
【主权项】：
1.一种NAND存储器，其特征在于，所述存储器包括至少一个存储块，每个所述存储块包括多个字线组以及至少一条虚字线；所述存储器还包括：多个子存储块；其中，每个所述存储块划分为多个存储空间大小相同的子存储块，每个所述子存储块设置有子存储块地址。
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