[发明专利]用于在基板上形成层的设备和在基板上形成层的方法在审

专利信息
申请号: 201811088265.6 申请日: 2018-09-18
公开(公告)号: CN109554691A 公开(公告)日: 2019-04-02
发明(设计)人: 李承宪;柳庚玟;吴暻锡;玄尚镇 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: C23C16/513 分类号: C23C16/513;C23C16/56;C23C16/54;C23C16/24
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 李娜
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 公开了一种用于形成层的设备和一种在基板上形成层的方法。所述设备包括:转移腔室,在所述转移腔室中转移基板;沉积腔室,所述沉积腔室设置在所述转移腔室的一侧处,并且对所述基板执行沉积工艺,由此在所述基板上形成所述层;以及至少一个脱氢腔室,所述脱氢腔室设置在所述转移腔室的另一侧处,并且对所述基板上的所述层执行脱氢工艺,以减小所述层中的氢浓度。因此,在不从所述设备卸载所述基板的情况下,在所述设备中执行脱氢工艺。
搜索关键词: 基板 转移腔室 沉积腔室 脱氢工艺 腔室 脱氢 设备卸载 转移基板 减小 沉积
【主权项】:
1.一种用于形成层的设备,所述设备包括:装载口,在所述装载口上设置有基板保持器,所述基板保持器保持待处理的至少一个基板;转移腔室,所述转移腔室连接到所述装载口,并且将所述基板转移到所述基板保持器或者从所述基板保持器转移所述基板;沉积腔室,所述沉积腔室设置在所述转移腔室的一侧处,并且对通过包括在所述转移腔室中的转移单元从所述转移腔室转移来的所述基板执行沉积工艺,由此在所述基板上形成所述层;以及至少一个脱氢腔室,所述脱氢腔室设置在所述转移腔室的另一侧处,并且对通过所述转移单元从所述转移腔室转移来的所述基板上的所述层执行脱氢工艺,由此减小所述层中的氢浓度。
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