[发明专利]用于在基板上形成层的设备和在基板上形成层的方法在审
申请号: | 201811088265.6 | 申请日: | 2018-09-18 |
公开(公告)号: | CN109554691A | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
发明(设计)人: | 李承宪;柳庚玟;吴暻锡;玄尚镇 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/56;C23C16/54;C23C16/24 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了一种用于形成层的设备和一种在基板上形成层的方法。所述设备包括:转移腔室,在所述转移腔室中转移基板;沉积腔室,所述沉积腔室设置在所述转移腔室的一侧处,并且对所述基板执行沉积工艺,由此在所述基板上形成所述层;以及至少一个脱氢腔室,所述脱氢腔室设置在所述转移腔室的另一侧处,并且对所述基板上的所述层执行脱氢工艺,以减小所述层中的氢浓度。因此,在不从所述设备卸载所述基板的情况下,在所述设备中执行脱氢工艺。 | ||
搜索关键词: | 基板 转移腔室 沉积腔室 脱氢工艺 腔室 脱氢 设备卸载 转移基板 减小 沉积 | ||
【主权项】:
1.一种用于形成层的设备,所述设备包括:装载口,在所述装载口上设置有基板保持器,所述基板保持器保持待处理的至少一个基板;转移腔室,所述转移腔室连接到所述装载口,并且将所述基板转移到所述基板保持器或者从所述基板保持器转移所述基板;沉积腔室,所述沉积腔室设置在所述转移腔室的一侧处,并且对通过包括在所述转移腔室中的转移单元从所述转移腔室转移来的所述基板执行沉积工艺,由此在所述基板上形成所述层;以及至少一个脱氢腔室,所述脱氢腔室设置在所述转移腔室的另一侧处,并且对通过所述转移单元从所述转移腔室转移来的所述基板上的所述层执行脱氢工艺,由此减小所述层中的氢浓度。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的