[发明专利]基于人工反铁磁自由层的磁性结构及SOT-MRAM有效
| 申请号： | 201811088726.X | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN109300495B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 闵泰;周雪;周学松;王蕾 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 覃婧婵 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于人工反铁磁自由层的磁性结构及自旋轨道矩‑磁性随机存储装置(Spin‑orbit torque magnetic random access memory，SOT‑MRAM)，其包含一个电场调控的基于人工反铁磁装置的自由层的磁性隧道结和一个自旋轨道矩材料层；其中基于人工反铁磁装置的自由层可以通过电场调控，实现反铁磁态到铁磁态的转变。所述装置可以在电场和电流的共同作用下实现数据的稳定写入，结构简单，具有功耗低、速度快、抗辐射、非易失性的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 人工 反铁磁 自由 磁性 结构 sot mram | ||
【主权项】：
1.一种磁性结构，其特征在于：包括一个电场调控的基于人工反铁磁自由层的磁性隧道结及一个自旋轨道矩材料层。
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