[发明专利]一种Mn掺杂调控电阻开关效应的复合薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811088833.2 申请日: 2018-09-18
公开(公告)号: CN109111126B 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 谈国强;薛敏涛;柴正军;任慧君;夏傲;刘云 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: C03C17/34 分类号: C03C17/34
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 徐文权
地址: 710021 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提供一种Mn掺杂调控电阻开关效应的复合薄膜及其制备方法,包括复合在一起的上层膜和底层膜;上层膜的化学式为Bi0.88Gd0.09Sr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3,为多晶扭曲钙钛矿结构,空间群为R3c;底层膜的化学式为Co1‑xMnxFe2O4,为立方反尖晶石结构、空间群为Fd3m,其中,x=0.1~0.7。先采用溶胶‑凝胶法旋涂法和层层退火的工艺制备了Co1‑xMnxFe2O4薄膜,再用旋涂法和层层退火的工艺制备BGSFMC薄膜,形成了BGSFMC/C1‑xMxFO复合薄膜。本发明的复合薄膜在增加了铁磁性的同时,仍有较好的铁电性和电阻开关效应。
搜索关键词: 一种 mn 掺杂 调控 电阻 开关 效应 复合 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种Mn掺杂调控电阻开关效应的复合薄膜,其特征在于,包括复合在一起的上层膜和底层膜;上层膜的化学式为Bi0.88Gd0.09Sr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3,为多晶扭曲钙钛矿结构,空间群为R3c;底层膜的化学式为Co1‑xMnxFe2O4,为立方反尖晶石结构、空间群为Fd3m,其中,x=0.1~0.7。
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