[发明专利]半导体封装件在审
| 申请号： | 201811089162.1 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN109585390A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 金宣澈 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体封装件包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片在第一衬底上；第一模制层，所述第一模制层设置在所述第一衬底上，以覆盖所述第一半导体芯片的侧表面；焊料结构，所述焊料结构设置在所述第一衬底上；以及第二衬底，所述第二衬底设置在所述焊料结构上。引导容座形成在所述第一模制层的顶表面和所述第二衬底的底表面中的一个处，第一对准突起形成在所述第一模制层的顶表面和所述第二衬底的底表面中的另一个处，并且所述第一对准突起的至少一部分设置在所述引导容座中。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 第一模 制层 半导体芯片 焊料结构 半导体封装件 顶表面 突起 容座 对准 侧表面 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片在第一衬底上；第一模制层，所述第一模制层设置在所述第一衬底上，以覆盖所述第一半导体芯片的侧表面；焊料结构，所述焊料结构设置在所述第一衬底上；以及第二衬底，所述第二衬底设置在所述焊料结构上，其中：引导容座形成在所述第一模制层的顶表面和所述第二衬底的底表面中的一个处，第一对准突起形成在所述第一模制层的顶表面和所述第二衬底的底表面中的另一个处，所述第一对准突起的至少一部分设置在所述引导容座中。
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