[发明专利]一种表面增强拉曼基底及其制备方法有效
申请号: | 201811089356.1 | 申请日: | 2018-09-18 |
公开(公告)号: | CN109136860B | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 马菱薇;张政军 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | C23C14/30 | 分类号: | C23C14/30;C23C14/08;C23C14/18;G01N21/65 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 皋吉甫 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明属于痕量有机物检测技术领域,公开了一种表面增强拉曼基底及其制备方法,该方法采用倾斜生长方法,首先在银纳米棒阵列的顶端沉积一层氧化物,之后在氧化物层的顶端沉积银纳米颗粒,得到银纳米棒‑氧化物‑银颗粒复合结构作为表面增强拉曼基底。上述方法制备的基底利用氧化物层的高熔点和对银纳米棒的保护作用,提高了基底的热稳定性;银纳米棒与银纳米颗粒之间被超薄的氧化物层隔开,在间隙处具有强烈的局域电磁场增强效果,从而大幅度提升了基底的灵敏性。该复合基底可应用于高温条件下的检测,具有超高的信号增强能力,扩展了表面增强拉曼技术的应用范围,具有巨大的发展潜力。 | ||
搜索关键词: | 一种 表面 增强 基底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种表面增强拉曼基底,该基底包括衬底基片和银纳米棒阵列,所述银纳米棒阵列沉积在衬底基片上,其特征在于,该表面增强拉曼基底还包括氧化物层和银纳米颗粒层;所述氧化物层沉积在银纳米棒阵列顶端,所述银纳米颗粒层沉积在氧化物层顶端,构成银纳米棒‑氧化物‑银颗粒复合纳米结构的表面增强拉曼基底。
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