[发明专利]一种真空卡盘以及键合设备在审
| 申请号： | 201811089622.0 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN109087883A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 邹文;周云鹏 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种真空卡盘以及键合设备，所述真空卡盘，用于晶圆的键合工艺，包括第一子卡盘和第二子卡盘，第一子卡盘包括第一吸附腔室，第二子卡盘包括第二吸附腔室，第二吸附腔室和第一吸附腔室均为圆盘状结构，第二吸附腔室朝向第一吸附腔室，第一吸附腔室的直径是第一晶圆的直径的0.7～0.95倍。本发明通过缩小第一吸附腔室的直径，以扩大第一晶圆边缘不被真空吸附的区域，由此可以减小第一子卡盘对第一晶圆的吸附力，进而减小键合晶圆的键合扭曲度，特别是晶圆边缘的扭曲度，提高后续光刻制程中的对准精度，改善后续制程键合晶圆的均一性，从而提高产品的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 吸附腔室 晶圆 子卡 真空卡盘 键合设备 晶圆边缘 扭曲度 键合 圆盘状结构 光刻制程 键合工艺 真空吸附 减小键 均一性 吸附力 减小 制程 对准 | ||
【主权项】：
1.一种真空卡盘，用于晶圆键合工艺，其特征在于，所述真空卡盘包括第一子卡盘和位于所述第一子卡盘上方的第二子卡盘，所述第一子卡盘包括第一吸附腔室，所述第一吸附腔室用于提供负压环境以吸附第一晶圆，所述第二子卡盘包括第二吸附腔室，所述第二吸附腔室用于提供负压环境以吸附第二晶圆，所述第一吸附腔室和第二吸附腔室均为圆盘状结构，所述第二吸附腔室朝向所述第一吸附腔室，所述第一吸附腔室的直径是所述第一晶圆的直径的0.7～0.95倍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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