[发明专利]沟槽形成方法、背照式图像传感器及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201811089633.9 申请日: 2018-09-18
公开(公告)号: CN109285852B 公开(公告)日: 2020-04-10
发明(设计)人: 赵长林;胡胜 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅
地址: 430205 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种沟槽形成方法、背照式图像传感器及其制作方法。沟槽形成方法中利用刻蚀时的负载效应,通过一张光罩、一次刻蚀工艺在衬底上同时形成第一沟槽和第二沟槽,简化了沟槽制作工艺,降低了成本。背照式图像传感器制作方法中通过在衬底背面同时形成第一沟槽和第二沟槽,简化了背照式图像传感器中的制作沟槽工艺,降低了成本,同时既通过第一沟槽提高了量子效率又通过第二沟槽改善了电学串扰。
搜索关键词: 沟槽 形成 方法 背照式 图像传感器 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种沟槽形成方法,其特征在于,包括:提供一光罩,所述光罩上形成有第一沟槽图形和第二沟槽图形;提供一衬底,在所述衬底上形成光阻层;采用所述光罩,进行曝光及显影工艺,形成图形化的光阻层;以及,以所述图形化的光阻层为掩膜,通过一次刻蚀工艺在所述衬底上形成多个第一沟槽和至少一个第二沟槽,所述第一沟槽和所述第二沟槽形状相同且规则排列,所述第二沟槽的深度大于所述第一沟槽的深度;在垂直于所述衬底表面的截面上,所述第二沟槽的截面宽度大于所述第一沟槽的截面宽度,和/或,所述第一沟槽的图形密度大于所述第二沟槽的图形密度。
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