[发明专利]一种脉冲磁过滤沉积装置

摘要

本发明公开了一种脉冲磁过滤装置，包括，脉冲阴极弧头、引出电极、聚焦直管、磁过滤管、栅网以及射频四级杆过滤器。通过实施本发明，到达镀膜工件表面的离子方向性好，同时离子的电荷态相同，非常适合单晶或多晶膜层的精细化调控生长，同时通过控制四级杆过滤器射频频率可方便实现不同价态离子膜层的选择性精确镀制。本发明的脉冲磁过滤装置在超细、超微芯片或者晶圆种晶制备方面有着广泛的应用前景。

主权项

1.一种脉冲磁过滤沉积装置，其特征在于，包括：a)脉冲阴极弧头：阴极弧头由靶材阴极、触发电极、氮化硼绝缘套、冷却装置组成；b)引出电极：引出电极距离阴极表面20‑40mm，引出电极孔径为φ60‑80mm，引出电极电压为1‑100V；c)磁过滤管道：磁过滤管道几何中心曲率半径为160mm，直径80mm，磁过滤角度为90度；d)栅网：栅网的尺寸为φ60‑150mm，网格孔径为Φ1‑10mm，网格施加负压1‑600V；e)射频四极杆过滤器：平行分布的四根精密加工的电极杆，四极杆上同时叠加直流和交流电流，四极杆横截面为正方形，边长60‑80mm；四极杆长度为1‑100mm，直径为1‑10mm；f)沉积过程中基体温度变化范围不超过5℃；g)沉积速率可调，速率1‑50nm/min，离子束流方向性好，适合芯片或晶圆的种晶的制备。