[发明专利]有序掺杂纳米材料强化热导率复合材料及制备方法在审
申请号: | 201811091644.0 | 申请日: | 2018-09-19 |
公开(公告)号: | CN109336408A | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 孙云娜;巫永鹏;史剑浩;赖丽燕;王艳;丁桂甫 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | C03C17/36 | 分类号: | C03C17/36;C09K5/14;H01L23/29 |
代理公司: | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人: | 徐红银 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开一种有序掺杂纳米材料强化热导率复合材料及制备方法,包括:薄膜基底;纳米材料阵列,有序分散生长于薄膜基底上;基体,用于填充于有序分散的纳米材料阵列之间,完全包裹纳米材料阵列且完全填充薄膜基底未生长纳米材料阵列的区域。粘结层,用于将纳米材料阵列和基体通过化学键或物理化学能连接起来;制备时:薄膜基底表面生长有序分散的纳米材料阵列,在纳米材料阵列上制备粘结层,以降低界面热阻,在纳米材料阵列的孔隙区域填充基体材料,使其紧密包裹纳米材料。本发明可高效地制备上述复合材料,纳米材料阵列与基体结合牢固、界面粘结良好,纳米阵列的排布密度和位置易于控制,制备过程灵活性强,并且具有良好的热导率。 | ||
搜索关键词: | 纳米材料 制备 薄膜基 复合材料 热导率 粘结层 填充 掺杂 化学键 化学能 表面生长 界面热阻 界面粘结 紧密包裹 孔隙区域 纳米阵列 填充基体 制备过程 生长 排布 | ||
【主权项】:
1.一种有序掺杂纳米材料强化热导率复合材料,其特征在于:包括:薄膜基底;纳米材料阵列,该纳米材料阵列有序分散生长于所述薄膜基底上;粘结层,该粘结层均匀、牢固地附着于所述纳米材料阵列上;基体,用于填充于有序分散的所述纳米材料阵列之间,所述基体完全包裹纳米材料阵列且完全填充所述薄膜基底未生长纳米材料阵列的区域;位于所述纳米材料阵列和所述基体之间的所述粘结层将所述纳米材料阵列和所述基体通过化学键或物理化学能连接。
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