[发明专利]存储器在审
| 申请号： | 201811091933.0 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN108962896A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 何佳;骆中伟;刘藩东;华文宇;夏志良 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种存储器，所述存储器包括：衬底，所述衬底表面形成有存储堆叠结构；贯穿所述存储堆叠结构的沟道孔；位于所述沟道孔底部的外延半导体层，所述外延半导体层的底面与所述衬底连接，且所述外延半导体层的底面与衬底表面之间的距离小于一预设值。上述存储器的性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 外延半导体层 衬底表面 堆叠结构 衬底 底面 沟道 存储 预设 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种存储器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底表面形成有存储堆叠结构；贯穿所述存储堆叠结构的沟道孔；位于所述沟道孔底部的外延半导体层，所述外延半导体层的底面与所述衬底连接，且所述外延半导体层的底面与衬底表面之间的距离小于一预设值。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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