[发明专利]圆片级硅基集成小型化分形天线及其制备方法在审
| 申请号： | 201811092065.8 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109346821A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 张伟博;罗乐;徐高卫;周杨 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01Q1/22 | 分类号： | H01Q1/22;H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q5/10;H01Q5/20;H01L23/66 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种圆片级硅基集成小型化分形天线及其制备方法，包括如下步骤：1)提供一晶圆，所述晶圆包括相对的第一表面及第二表面；2)于所述晶圆内形成穿硅通孔，并于所述穿硅通孔的内壁形成绝缘层；3)于所述穿硅通孔内填充金属层以形成导电穿硅通孔结构；4)于所述晶圆的第一表面上形成分形天线，所述分形天线的形状呈二阶皮亚诺分形曲线状；所述分形天线与所述导电穿硅通孔结构相连接；5)于所述晶圆的第二表面形成共面波导，所述共面波导与所述导电穿硅通孔结构相连接。本发明分形天线通过导电穿硅通孔结构及共面波导实现馈电，分形天线的谐振频率为24GHz和35GHz，可以同时满足射频段的信号接收和发射需求。 | ||
| 搜索关键词： | 穿硅通孔 分形天线 晶圆 导电 共面波导 第二表面 第一表面 硅基集成 形天线 圆片级 制备 绝缘层 填充金属层 分形曲线 谐振频率 信号接收 二阶 馈电 内壁 射频 发射 | ||
【主权项】：
1.一种圆片级硅基集成小型化分形天线的制备方法，其特征在于，所述圆片级硅基集成小型化分形天线的制备方法包括如下步骤：1)提供一晶圆，所述晶圆包括相对的第一表面及第二表面；2)于所述晶圆内形成穿硅通孔，并于所述穿硅通孔的内壁形成绝缘层；3)于所述穿硅通孔内填充金属层以形成导电穿硅通孔结构；4)于所述晶圆的第一表面上形成分形天线，所述分形天线的形状呈二阶皮亚诺分形曲线状；所述分形天线与所述导电穿硅通孔结构相连接；5)于所述晶圆的第二表面形成共面波导，所述共面波导与所述导电穿硅通孔结构相连接。
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