[发明专利]一种双壳层结构籽晶衬底及其制备方法在审
| 申请号： | 201811092137.9 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN110923808A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 刘东方;鄢靖源;张伟;李纪周;王聪;陈小源;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海高等研究院 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B29/06;C23C14/04;C23C14/10;C23C14/06;C23C14/30 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种应用于单层转移薄膜生长的籽晶衬底及其制备方法，包括步骤：1)采用光刻工艺于单晶硅衬底表面形成光刻胶掩膜；2)于具有光刻胶掩膜的衬底上沉积金属层；3)去除所述光刻胶掩膜；4)采用湿法刻蚀工艺对所述衬底进行选择性刻蚀；5)于所述衬底表面沉积包括氮化硅及氧化硅的生长阻挡层；6)去除所述金字塔籽晶阵列顶端的金属掩膜层，以获得所述籽晶衬底。本发明的籽晶衬底兼具力学稳定性与化学稳定性，且具有较高的重复使用率，寿命长，制备工艺简单便捷，易于实现自动化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双壳层 结构 籽晶 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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